21.06.2017 (eh)
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Samsung startet Massenproduktion von 64-Layer-V-NAND-Flash

  • Inhalt dieses Artikels
  • 20 Prozent erhöhte Zuverlässigkeit der neuen V-NAND-Flash-Zelle
  • Es gilt bei V-NAND, Milliarden Kanallöcher zu beherrschen

64-Layer-V-NAND-Flash-Chips – auch auf einer SSD im M.2-Bauformat (Bild: Samsung)64-Layer-V-NAND-Flash-Chips – auch auf einer SSD im M.2-Bauformat (Bild: Samsung)Die Massenproduktion von 64-Layer-V-NAND-Flash ist bei Samsung nun angelaufen. Bereits im Januar hatte Samsung damit begonnen, die ersten SSDs mit 64-lagigen V-NAND-Flash-Chips an ausgewählte Partner auszuliefern, jetzt geht die Technologie in die Massenfertigung. Der Output soll nun massiv hochgefahren werden. Samsung erwartet bis Jahresende mehr als 50 Prozent seiner monatlichen NAND-Flash-Produktion mit diesem Chip-Typ abzudecken. Diese sollen dann in verschiedenen Consumer- und Enterprise-Produkten zum Einsatz kommen, geplant sind laut Samsung unter anderem neue SSDs, Speicherkarten sowie Embedded-UFS-Memory-Produkte für Mobilgeräte.

Die neuen Chips kommen mit ihren 64 Schichten auf eine Speicherkapazität von 256 Gbit mit einer 3-bit-Multi-Level-Cell-Technologie (MLC). Bisher waren es maximal 48 Schichten. Neben der höheren Speicherdichte ist der Vorteil einer höheren Datenübertragungsrate: Samsung gibt beeindruckende 1 Gbit pro Sekunde an.

20 Prozent erhöhte Zuverlässigkeit der neuen V-NAND-Flash-Zelle

Darüber hinaus sollen die neuen V-NAND-Chips von allen NAND-Flash-Speichern die branchenweit kürzeste »Page Program Time« (tPROG) von 500 ㎲ erreichen. Dies sei in etwa vier Mal kürzer als bei typischem Planar-NAND-Flash-Memory mit 10-nm-Strukturen und etwa 1,5 Mal schneller als Samsungs schnellstes 3-bit-256-Gbit-V-NAND-Flash-Memory mit 48-Layern.

Neu ist überdies, dass die neuen V-NAND-Chips mit 2,5 V versorgt werden, was zu einer etwa 30 Prozent höheren Energieeffizienz gegenüber den 3,3 V führt, die das 48-Layer-V-NAND nutzte. Auch die Zuverlässigkeit der neuen V-NAND-Zelle habe sich gegenüber der Vorgängerversion um etwa 20 Prozent erhöht.

Es gilt bei V-NAND, Milliarden Kanallöcher zu beherrschen

Samsung erreichte eigenen Angaben zufolge diese Verbesserungen durch Konzentration auf unterschiedliche Herausforderungen, die in dem neuen V-NAND-Fertigungsprozess aufkommen. Zu den größten Herausforderungen gehört die Herstellung mehrerer Milliarden Kanallöcher, die mehrere Dutzend Layer von Zell-Arrays durchdringen und den Verlust von Elektronen von rund 85,3 Milliarden Zellen minimieren.

Samsung hofft, dass sich mit der mittlerweile doch recht umfangreichen Familie von V-NAND-Flash-Produkten auf dem Markt die Branche nun stärker auf die hohe Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit bei Memory-Storage fokussiert, als auf den Wettlauf bei der Chip-Skalierung. Nun ja – diese Ansicht werden Intel und Micron, die stark auf die neue Halbleiterspeichertechnologie »3D Xpoint« setzen, wohl kaum teilen.

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