12.08.2016 (eh)
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Samsung kündigt erste Flash-Chips mit 64 Lagen an

  • Inhalt dieses Artikels
  • Z-SSD mit etwas anderer Speichertechnologie
  • SSD mit 1 TByte im BGA-Gehäuse

Kommt 2017: 2,5-Zoll-SSD mit 32 TByte (Bild: Samsung)Kommt 2017: 2,5-Zoll-SSD mit 32 TByte (Bild: Samsung)Auf dem »Flash Memory Summit 2016«, der in dieser Woche im kalifornischen Santa Clara tagte, haben nicht nur Toshiba und Seagate Neues zu zeigen, sondern auch Flash-Branchenprimus Samsung. Die Südkoreaner kündigten an, dass man V-NAND nun in der vierten Generation praktisch fertig habe, womit man intern in 64 Lagen stapeln kann. Seit August 2013 hat Samsung drei Generationen der branchenweit ersten V-NAND-Produkten mit 24, 32 und 48 Lagen Vertical-Cell-Array-Stacking-Technologien eingeführt. Die neuen 64-Lagen-V-NAND-Chip sollen bereits im vierten Quartal produziert werden.

Und Samsung kündigt auf den neuen Chips basierend eine SSD mit 32 TByte und SAS-Schnittstelle im 2,5-Zoll-Format an. Insgesamt sind 512 V-NAND-Chips in 16 Lagen übereinander gestapelt, um ein 1-TByte-Package zu bilden; die SSD enthält 32 dieser Packages, und kommt somit auf besagte 32 TByte. Die SSD soll dann 2017 verfügbar sein. Samsung ließ auf dem Flash-Event durchblicken, dass im Jahr 2020 eine SSD mit über 100 TByte verfügbar ist.

In diesen Regionen denkt zwar Seagate auch. Allerdings liegt der Fokus von Seagate anscheinend eher beim 3,5-Zoll-Format, während Samsung das 100-TByte-Ziel im 2,5-Zoll-Formfaktor anpeilt.

Z-SSD mit etwas anderer Speichertechnologie

Kommt ebenfalls 2017: extrem schnelle Z-SSD (Bild: Samsung)Kommt ebenfalls 2017: extrem schnelle Z-SSD (Bild: Samsung)Samsung hat auch eine hochleistungsfähige SSD-Lösung mit extrem geringer Latenz entwickelt – die Z-SSD. Die Z-SSD weist die grundlegende Struktur von V-NAND auf. Aber sie verfügt über ein neuartiges Schaltungsdesign. Damit will Samsung offenbar gegen die »3D X-Point«-Technologie von IMFlash, die Partnerschaft zwischen Intel und Micron, einen Kontrapunkt setzen. Konkrete Details bleibt Samsung aber schuldig. Branchenbeobachter auf der Flash-Veranstaltung mutmaßen, dass es Z-NAND oder P-RAM sein könnte. Letztendlich geht es aber um das gleiche Ergebnis: schnelle Zugriffszeiten und hohe Transferleistungen für Server.

Samsung spezifiziert jedenfalls für ihre Z-SSD eine vier Mal schnellere Latenz und ein 1,6 Mal schnelleres sequenzielles Lesen gegenüber der Samsung »PM963«-NVMe-SSD. Die Z-SSD sei deshalb für Systeme gedacht, die extrem intensive Echtzeitanalysen durchführen und allen Arten von Arbeitslasten eine hohe Leistungsfähigkeit zur Verfügung stellen müssen. Vorstellen möchte Samsung die Z-SSD im kommenden Jahr.

SSD mit 1 TByte im BGA-Gehäuse

Nur ein Gramm schwer: 1-TByte-SSD im BGA-Gehäuse für ultrakompakte Notebooks und Tablets (Bild: Samsung)Nur ein Gramm schwer: 1-TByte-SSD im BGA-Gehäuse für ultrakompakte Notebooks und Tablets (Bild: Samsung)Für nächstes Jahr plant Samsung die Vorstellung eines 1-TByte-SSD im BGA-Gehäuse (Ball Grid Array). Zum Einsatz kommt hierbei eine neue High-Density-Packaging-Technologie namens »FO-PLP« (Fan-out Panel Level Packaging), die Samsung Electronics zusammen mit Samsung Electro-Mechanics entwickelt hat. Die Massenfertigung von BGA-SSDs mit Kapaztitäten von 128, 256 und 512 GByte hat Samsung erst vor zwei Monaten angekündigt.

In dem Gehäuse befinden sich alle erforderlichen SSD-Komponenten einschließlich Triple-Level-Cell-V-NAND-Flash-Chips, LPDDR4-Mobile-DRAM und ein Controller von Samsung. Die SSD liest mit 1.500 MByte/s bzw. schreibt mit 900 MByte/s – bislang unerreicht von einer BGA-SSD. Weil seine Abmessungen gegenüber seinem Vorgänger um bis zu 50 Prozent verringert werden konnten, wiegt das SSD nur etwa ein Gramm und eignet sich somit ideal für ultrakompakte Notebooks, Tablets und Convertibles der nächsten Generation.

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