10.11.2014 (eh)
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Samsungs Highend-SSD-Reihe nun durchgängig mit 3D-V-NAND

  • Inhalt dieses Artikels
  • Jetzige 3D-V-NAND-Technologie ist bereits zweite Generation
  • 2017 kommt SSD in 2,5-Zoll-Bauweise mit 8 TByte

Samsungs SSD-Familie komplettiert sich zusehends (Bild: Samsung)Samsungs SSD-Familie komplettiert sich zusehends (Bild: Samsung)Der Elektronikkonzern Samsung Electronics kündigte kürzlich an, dass man mit der Massenproduktion der industrieweit ersten 3-bit-3D-V-NAND-Flash-Memory-Chips begonnen hat. Wie Thomas Arenz, Head of Marketing Intelligence and Strategic Business Development, gegenüber speicherguide.de erklärt, wurde mit diesen Highend-Chips als erstes die für Application- und Highend-Server konzipierte Highend-SSD-Serie ausgestattet: »Die Midrange- und Mainstream-Serie werden aber bald mit 3D-V-NAND folgen.«

Insgesamt hat Samsung seine SSD-Familie jüngst kräftig komplettiert. Gab es zur CeBIT nur SATA-Modelle, so sind mittlerweile Versionen mit SAS- und PCIe-Schnittstelle dazugekommen.

Jetzige 3D-V-NAND-Technologie ist bereits zweite Generation

2D-Planar-Flash kommt an die Grenzen, 3D-V-NAND-Flash beginnt gerade Markteroberung (Bild: Samsung)2D-Planar-Flash kommt an die Grenzen, 3D-V-NAND-Flash beginnt gerade Markteroberung (Bild: Samsung)Mit der 3D-V-NAND-Technologie hat Samsung etliche Designziele gegenüber 2D-Planar-NAND-Flash erreicht. Dazu gehören rund zweimal so hohe IOPS-Raten, ein in etwa halbierter Stromverbrauch, und eine bis zehnmal verbesserte Haltbarkeit. Und durch die Massenfertigung dürfte man beim Preis im Durchschnitt rund 15 Prozent günstiger liegen. »Aber das gewichtigste Argument bei den Kunden ist schon die verbesserte Haltbarkeit, also die ‚High-Endurance’«, betont Arenz.

Die jetzige 3-bit-3D-V-NAND-Flash-Technologie ist bereits die zweite Generation an 3D-Chips. Waren es bei der ersten Generation noch 24 übereinander gestapelte Schichten – vorgestellt im August letzten Jahres –, so sind es nun 32. Der Einsatz der 32-Layer-Zellenarrays erhöht die Effizienz der Speicherproduktion enorm. Gegenüber Samsungs 10-Nanometer-Planar-NAND-Flash ermöglicht das neue 3-bit-V-NAND mehr als die doppelte Wafer-Produktivität.

2017 kommt SSD in 2,5-Zoll-Bauweise mit 8 TByte

Samsung umgeht bei den 3D-Chips das Problem, dass man bei 2D-Chips immer kleinere Strukturen benötigt, um mehr Speicherkapazität aus den Chips herauszukitzeln. In der 3D-Technologie werden stattdessen für mehr Speicherkapazität einfach immer mehr Schichten übereinander gestapelt. Hört sich zwar im Prinzip sehr einfach an, ist aber in der Technologie hochkomplex. Samsung ist momentan das einzige Unternehmen, das bei Flash die 3D-Technologie beherrscht.

Bis 2017 sind laut aktueller Samsung-Roadmap Flash-Chips in 3D-Technologie mit 1 Tbit möglich. »Das bedeutet dann, dass eine SSD in 2,5-Zoll-Bauweise 8 TByte Kapazität schafft«, erläutert Arenz.

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