11.11.2020 (Michael Baumann)
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Micron liefert weltweit erste 176-Layer-3D-NANDs

CMOS-under-Array: Um die Chips dabei besonders klein zu halten, verlötet Micron die NAND-Einheit direkt über die Peripherie-Logik des Chips (Grafik: Micron).CMOS-under-Array: Um die Chips dabei besonders klein zu halten, werden die NAND-Einheit direkt über die Peripherie-Logik des Chips verlötet (Grafik: Micron).33 Prozent höhere Datentransferraten im Vergleich zum Wettbewerb verspricht Micron für seine 176-Layer-3D-NAND-Flash-Zellen. Zudem soll die neue Chip-Generation einen um 30 Prozent geringeren Formfaktor vorweisen sowie eine um bis zu 35 Prozent geringere Latenz als bisherige Chips mit 96 oder 128 Layer. Die Serien-Produktion für den Massenmarkt wurde jetzt in Singapur gestartet.

Micron geht mit den ersten 176-Layer-3D-NAND-Zellen in die Serienfertigung (Grafik: Micron).Micron geht mit den ersten 176-Layer-3D-NAND-Zellen in die Serienfertigung (Grafik: Micron).Die Speicher-Zellen sollen künftig in elektronischen Mobilgeräten, Konsolen, Dronen- und Überwachungstechnik, autonome Systeme, Bord-Infotainment in der Automobilproduktion, Komponenten für KI (künstliche Intelligenz), aber auch in Rechenzentren und Notebooks zum Einsatz kommen. Eigentlich überall. Im PC-Bereich wird das 176-Schicht-Verfahren auch in den SSD-Riegeln der Micron-Marke Crucial angewendet.

Die 176-Layer-Module gehören zur fünften 3D-NAND- und zweiten RG-Generation (Grafik: Micron).Die 176-Layer-Module gehören zur fünften 3D-NAND- und zweiten RG-Generation (Grafik: Micron).Die 176-Layer-Module gehören zur fünften 3D-NAND- und zweiten RG-Generation (Replacement Gate) des US-Halbleiterherstellers. Diese verwendet statt des üblichen polykristallinem Siliziums Steuer-Elektroden aus Metall, um Kopplungseffekte und Widerstandsphänomene zwischen den Zellen zu reduzieren. Dies soll zu niedrigerer Latenz, höherer Leistung und mehr GByte pro Waver führen.

Um die Chips dabei besonders klein zu halten, verlötet Micron die NAND-Einheit direkt über die Peripherie-Logik des Chips, eine Technik, die der Hersteller CMOS-under-Array (CuA) nennt. Beide Technologien werden auch in den neuen 176-Layer-Zellen angewendet, die über den ONFI-Bus (Open NAND Flash Interface) kommunizieren.

Verfügbarkeit: Auslieferung an Industrie gestartet

Microns 176-Layer-3D-NAND-Zellen werden in der Halbleiter-Produktionsstätte des Herstellers in Singapur in Serie gefertigt und bereits an Industrie-Kunden ausgeliefert. Auch in Crucials Consumer-SSDs sollen die neuen, dichtgepackten NANDs zum Einsatz kommen. Die von Micron avisierte Verfügbarkeit können wir allerdings noch nicht bestätigen. Wir gehen davon aus, dass die ersten nennenswerten Stückzahlen erst ab 2021 in den Handel kommen.


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