22.01.2018 (kfr)

GDDR6 mit 16 Gbit: Samsung startet Produktion

GDDR6 mit 16 Gbit: Samsung startet Speicherproduktion für Highend-GrafikkartenGDDR6 mit 16 Gbit: Samsung startet Speicherproduktion für Highend-GrafikkartenSamsung Electronics beginnt mit der Massenproduktion des branchenweit ersten GDDR6-Speichers (Graphics Double Data Rate 6) mit 16 Gbit. Die Memorys sind für den Einsatz in der Grafikbearbeitung in Spielekonsolen und Grafikkarten konzipiert sowie für Automotive-, Netzwerk- und KI-Systeme (Künstliche Intelligenz).

Basierend auf Samsungs 10-nm-Prozesstechnologie erreicht GDDR6 mit zwei GByte nun die doppelte Kapazität, gegenüber dem 8-Gbit-GDDR5-Memory (20 nm). Die neue Lösung erreicht pro Pin eine Übertragungsgeschwindigkeit von 18 Gbit/s bei einem Datendurchsatz von 72 GByte/s, was gegenüber dem 8Gbit-GDDR5 ebenfalls einer Steigerung um mehr als das Doppelte entspricht.

Mit einem neuen Schaltungsdesign reduziert sich gleichzeitig der Energiebedarf: GDDR6-Speicher arbeitet mit einer Spannung von 1,35 Volt und verbraucht etwa 35 Prozent weniger Energie als die Vorgängertechnologie GDDR5, die noch 1,55 Volt benötigte. Die 10nm-Class-Technologie soll zudem einen Produktionsgewinn von etwa 30 Prozent erzielen.

Die ersten Produkte mit GDDR6 könnte NVIDIAs Highend-Grafikkarten mit Ampere-Chips sein, die für den Frühsommer avisiert sind. Experten gehen davon aus, dass auch AMD GDDR6-Videospeicher einsetzen wird und damit den bisherigen HBM2 (High Bandwidth Memory 2) ablöst.


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