12.03.2021 (Michael Baumann)
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5G-Bedarf: Kioxia baut weltweit dünnsten 1 TByte-Flash

Kioxia beliefert die Industrie jetzt mit Mustern seines neuen Universal Flash Storage (UFS) (Grafik: Kioxia).Kioxia beliefert die Industrie jetzt mit Mustern seines neuen Universal Flash Storage (UFS). KIOXIA hat mit der Auslieferung seiner neuen UFS Embedded-Flashspeicher (Universal Flash Storage, Version 3.1) begonnen. Mit 1,1 Millimetern ist es der bislang dünnste 1-TByte-UFS-Speicherchip auf dem Markt, so der Hersteller.

Potenzielle Abnehmer sind Produzenten mobiler Geräte wie High-End-Smartphones, die für 5G-Anforderungen in Sachen Latenz, Leistung, Kapazität und Stromverbrauch ihren Zulieferern auch beim Storage Fortschritte auf engstem Raum abverlangen.

Der UFS-Flashspeicher von Kioxia kombiniert die 3D-Flashspeichertechnologie BiCS FLASH mit einem Controller, der Fehlerkorrekturen, die gleichmäßige Verteilung der Daten auf Speicherblöcke (Wear Leveling), das Aussortieren fehlerhafter Blöcke (Bad Block Management) und die Umwandlung von logischen in physische Adressen übernimmt und damit laut Hersteller die Systementwicklung vereinfacht.

High-Tech für den 5G-Mobilgerätemarkt

Der Universal Flash Storage Version 3.1 erreicht so eine sequenzielle Lesegeschwindigkeit von bis zu 2.050 MByte/s sowie eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 1.200 MByte/s. Auch dies sind Werte im oberen Bereich des Verfügbaren.

Dafür nutzt der japanische Hersteller beispielsweise Technologien wie WriteBooster für höhere Schreibgeschwindigkeiten und Host Performance Booster (HPB) Ver. 2.0 für verbesserte Leseleistung bei zufälligen Zugriffen durch Nutzung des hostseitigen Speichers zur Ablage von Tabellen für die Umwandlung logischer in physische Adressen auf engstem Raum.

»Die Einführung eines superdünnen UFS-Speichers mit 1 TByte unterstreicht die Marktführerschaft von Kioxia im Bereich mobiler NAND-Flashspeicher«, erklärt Axel Stoermann, Vice President für Memory Marketing und Engineering bei Kioxia Europe. »Der Mobilgerätemarkt verlangt unentwegt nach höherer Leistung und Dichte, um die Entwicklung neuer Features und Funktionen zu ermöglichen.«


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