»SZ985«: Samsung kündigt erste Z-SSD an

Samsung zeigt zur ISSCC 2018 in San Francisco seine neue Z-SSD »SZ985«. Die PCIe-Karte basiert auf einer speziellen Form des V-NAND und soll fünf Mal geringere Latenzzeiten als NVMe-SSDs bieten. Im wahlfreien Lesen verspricht der Hersteller bis zu 750.000 IOPs. Konzipiert sind die Z-SSDs beispielsweise für HPC-Systeme und KI-Anwendungen mit höchsten Geschwindigkeitsansprüchen.

Samsung »SZ985« für schnelle Performance-AnsprücheFür den Einsatz in Enterprise-Speichern bringt Samsung Electronics die neue Z-SSD SZ985 mit 240 und 800 GByte auf den Markt. Sie soll sich für eine schnelle Cache-Daten- und Log-Daten-Verarbeitung eignen sowie für anspruchsvolle Highend-Anwendungen wie für KI, Big-Data und IoT. Thomas Arenz, Director Marcom + Strategic Business Development bei Samsung Semiconductor hatte es im speicherguide.de-Interview bereits angekündigt, mit der Z-SSD führen die Koreaner das Flash-Segment technologisch weiter an. Gleichzeitig kann die Z-SSD als Alternative zu Intels Optane-SSDs gesehen werden.

Die Z-SSD (Single Port, Four-Lane) nutzt PCIe-3.0-x4-Schnittstelle und basiert auf Z-NAND-Chips mit einer um den Faktor 10 höheren Zellen-Lese-Performance als bei 3-Bit V-NAND-Chips. Für Performance sorgen ein 1,5 GByte LPDDR4-DRAM sowie ein Hochleistungs-Controller. Samsung verspricht ein 1,7 Mal schnelleres wahlfreies Lesen mit 750.000 IOPS (4KB-Blöcke) und mit 16 Mikrosekunden eine fünf Mal geringere Schreiblatenz als eine NVMe-SSD des Typs PM963 mit 3-Bit-V-NAND-Chips. Die Z-SSD soll beim wahlfreien Schreiben eine Geschwindigkeit von bis zu 170.000 IOPS erreichen.

Auch in Puncto Zuverlässigkeit soll der neue Flash-Speicher höchste Standards erfüllen: Die 800-GByte-Z-SSD soll bis zu 30 Drive Writes pro Tag (DWPD) für fünf Jahre garantieren bzw. insgesamt 42 PByte. Die MTBF-Zeit (Mean Time Between Failure) setzt der Hersteller mit zwei Millionen Stunden an.

Samsungs neue Z-SSD kommt mit 240 und 800 GByte.»Mit unserer 800-GByte-Z-SSD werden wir einen erheblichen Beitrag zu den Markteinführungen von Supercomputersystemen der nächsten Generation in naher Zukunft leisten«, sagt Jinman Han, Senior Vice President, Memory Product Planning & Application Engineering bei Samsung Electronics. »Wir werden weiterhin Z-SSDs der nächsten Generation mit höherer Speicherdichte und größerer Produktwettbewerbsfähigkeit entwickeln, um die Industrie bei der Beschleunigung des Wachstums auf dem Premium SSD-Markt zu führen.«

Der Öffentlichkeit zeigt Samsung die SZ985 in Versionen mit 800 und 240 GByte auf der ISSCC 2018 (International Solid-State Circuits Conference) vom 11. bis 15. Februar in San Francisco. Über den Marktstart und Preis hat sich der Hersteller noch nicht konkret geäußert. Arenz hatte im Interview mit uns aber vom ersten Halbjahr 2018 gesprochen.