08.12.2014 (eh)
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Samsung bringt mit »850 EVO« den Nachfolger der »840 EVO«-SSD

  • Inhalt dieses Artikels
  • »TurboWrite«-Technologie auch bei 850 EVO im Einsatz
  • SSD 850 EVO bringt bis zu 90.000 IOPS
  • Verfügbare Formfaktoren: 2,5 Zoll, mSATA und M.2

Neue »850 EVO«-SSD gibts in drei Formfaktoren: 2,5 Zoll, mSATA und M.2 (Bild: Samsung)Neue »850 EVO«-SSD gibts in drei Formfaktoren: 2,5 Zoll, mSATA und M.2 (Bild: Samsung)Was die 3D-V-NAND-Flash-Technologie angeht, macht nun Samsung endgültige Nägel mit Köpfen: Mit der »850 EVO«-SSD etabliert Samsung nun auch diese Technologie im Einstiegs-Consumer-Segment. Dies bringt mehrere Vorteile, wie zum Beispiel höhere Datenübertragungsraten, geringere Energieaufnahme und verbesserte Langzeit-Performance. Natürlich auch eine höhere Datendichte, aber dies wirkt sich bei der neuen SSD, im Vergleich zum Vorgängermodell »840 EVO« – noch nicht aus. Später kommende neue Familienmitglieder dürften dann aber davon profitieren.

Mit einer Verlängerung der Herstellergarantie von drei (bei der 840 EVO) auf nunmehr fünf Jahre geht Samsung im Client-Segment neue Wege, denn eine fünfjährige Garantie ist typischerweise nur bei Topmodellen und Profi-Laufwerken üblich. Bei den Topmodellen wie die SSD »850 PRO« vergibt Samsung sogar zehn Jahre Garantie dank der 3D-V-NAND-Flash-Technologie. Bei 3D-NAND sind im Gegensatz zu planem 2D-NAND mehrere Zellschichten übereinander angeordnet und vertikal miteinander verbunden. Die dreidimensionale Struktur ermöglicht eben unter anderem eine verdoppelte Langzeithaltbarkeit gegenüber konventionellen, ebenen Speichertechnologien.

»TurboWrite«-Technologie auch bei 850 EVO im Einsatz

Spezifikationen der neuen »850 EVO«-SSD-Serie gegenüber der Pro-Produktfamilie und der Vorgängerserie »840 EVO«(Quelle: Samsung)Spezifikationen der neuen »850 EVO«-SSD-Serie gegenüber der Pro-Produktfamilie und der Vorgängerserie »840 EVO«(Quelle: Samsung)Samsung produziert bereits seit über einem Jahr 3D-NAND, inzwischen in der zweiten Generation. Der Rest der Konkurrenz ist noch im Bemusterungsstadium. Echte 3D-Flash-Produktionsstückzahlen sind von Marktbegleitern wie Micron, Intel, Toshiba und SanDisk sowie SK Hynix im Laufe des kommenden Jahres zu erwarten.

Die 850 EVO und der verwendete 3D-V-NAND-Flash-Speicher sind darauf ausgelegt, im Alltag mit Notebooks und PC-Systemen höchste Datentransferraten und I/O-Leistung bei Lese- und Schreiboperationen zu ermöglichen. Die mit der 840 EVO eingeführte »TurboWrite«-Technologie kommt abermals zum Einsatz und ist mit dafür verantwortlich, dass die so genannte User-Experience rund zehn Prozent besser ausfällt. Turbowrite bedeutet, dass ein kleinen Teil der Speicherkapazität statt mit drei Bit pro Speicherzelle lediglich mit einem Bit beschrieben wird – dies geht deutlich schneller als bei drei Bit, so dass dieser Speicherbereich zum Turbowrite-Cache für Schreibaktivitäten wird. Geschriebene Daten werden anschließend im Hintergrund aus dem Turbowrite-Puffer auf einen regulären Speicherplatz der SSD übertragen.

SSD 850 EVO bringt bis zu 90.000 IOPS

Positionierung der EVO-Linie gegenüber der Pro-Produktfamilie (Bild: Samsung)Positionierung der EVO-Linie gegenüber der Pro-Produktfamilie (Bild: Samsung)Samsung-interne Test ergaben, dass die Performance beim zufälligen Schreiben von Daten (random writes) bei den 120- und 250-GByte-Modellen gegenüber der 840 EVO bis zu 1,9x höher ausfällt als zuvor. Alle 850-EVO-Modelle erreichen 540 MByte/s lesend und 520 MByte/s schreibend, und erreichen bei geringen Befehlstiefen (QD1 und QD2) neue I/O-Bestwerte. Damit dürften sie auf dem Markt für Client-SSDs erneut eine Spitzenposition einnehmen. Die Leistungswerte sind anscheinend mit der 850 EVO nun auch über einen längeren Zeitraum abrufbar, so dass eine hohe Dauerbeanspruchung die neuen Laufwerke auch über längere Zeit nicht in die Knie zwingt.

Die neue Serie gibt es mit Kapazitäten von 120, 250 und 500 GByte sowie 1 TByte; eine 750-GByte-Version wie bei der 840 EVO hat Samsung nicht mehr verfolgt. Durch die Turbowrite-Technologie spezifiziert Samsung bis zu 88.000 IOPS bei den 120- und 250-GByte-Modellen, sowie sogar 90.000 IOPS bei den beiden größeren Versionen.

Verfügbare Formfaktoren: 2,5 Zoll, mSATA und M.2

An Schnittstellen gibt es 6 Gbit/s SATA. An Bauformen steht bereits jetzt 2,5 Zoll zur Verfügung, sowie ab Januar auch die in neueren Notebooks eingesetzten M.2- und mSATA-Formfaktoren. Die unverbindlichen Preisempfehlungen reichen von knapp 93 Euro bis zu 463 Euro.

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