30.06.2017 (eh)
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WD kündigt die weltweit ersten 96-Layer-3D-NAND-Flash-Chips an

96-Layer-NAND-Flash-ICs: produziert werden zunächst 256-Gbit-Chips, dann sollen Tbit-Chips folgen (Bild: Western Digital)96-Layer-NAND-Flash-ICs: produziert werden zunächst 256-Gbit-Chips, dann sollen Tbit-Chips folgen (Bild: Western Digital)Die Lieferung der weltweit ersten 96-Layer-NAND-Flash-Speicher in Stückzahlen will Western Digital Anfang 2018 in enger Zusammenarbeit mit Joint-Venture-Partner Toshiba aufnehmen. Die Auslieferung von Mustern an OEM-Kunden ist für das zweite Halbjahr 2017 geplant. Produziert werden zunächst 256-Gbit-Chips, dann sollen Tbit-Chips folgen.

Gefertigt werden die Chips mit Hilfe des »BiCS4«-Prozesses, der es erlaubt, Zellarchitekturen aufzubauen, die jeweils drei und vier Bit speichern können. BiCS-Flash ist der Toshiba-eigene Name für 3D-NAND-Flash-Technologie, wobei BiCS für »Bit Cost Scaling« steht.

WD-Joint-Venture mit Toshiba in Japan läuft auf vollen Touren

»Die Entwicklung der ersten 3D-NAND-Flash-Speicher der Welt mit 96 Layers zeigt, dass wir unserer Roadmap wir geplant folgen«, sagt Dr. Siva Sivaram, Executive Vice President Memory Technology von Western Digital. Außerdem betont er, dass WD im Joint-Venture mit Toshiba in Japan auf vollen Touren laufen.

In diesem Jahr soll der Anteil der 64-Layer-3D-NAND-Speicher, die in den Joint-Venture-Fabs mit Hilfe des »BiCS3«-Prozesses gefertigt werden, auf 75 Prozent steigen. Zusammen mit Joint-Venture-Partner Toshiba liefere WD damit mehr 64-Layer-3D-NAND-Bit als jeder andere Hersteller.

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