14.08.2013 (eh)
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Samsung überrascht mit 960-GByte-SSD mit V-NAND-Chips

  • Inhalt dieses Artikels
  • NAND-Flash mit proprietärer Zellenstruktur
  • Samsung arbeitet beim 3D-Zellen-Array mit 24 Lagen
Erste SSD mit 3D-V-NAND-Technologie (Bild: Samsung)
Erste SSD mit 3D-V-NAND-Technologie (Bild: Samsung)
Noch letzte Woche kündigte Samsung einen Durchbruch bei Flash-Chips an, die nach dem von Samsung »3D Vertical NAND« oder 3D V-NAND genannten Verfahren hergestellt werden. Wann mit einem Einsatz in SSDs zu rechnen sei, ließ Samsung indes offen. Doch jetzt die Überraschung auf dem derzeit im kalifornischen Santa Clara tagenden »Flash Memory Summit 2013«: Samsung stellt eine V-NAND-SSD vor, die in zwei Versionen auf Kapazitäten von 480 und 960 GByte kommt.

Die 3D-V-NAND-Technologie sei besonders zuverlässig, weshalb Samsung die neuen SSDs vor allem für Enterprise-Server und Rechenzentren positioniert. Die 2,5-Zoll-Modelle mit Abmessungen von 10 x 7 cm und einer Bauhöhe von 7 mm sind mit einem 6-Gbit/s-SATA-Interface ausgestattet.

NAND-Flash mit proprietärer Zellenstruktur

Das Besondere an den 3D-V-NAND-Chips ist die Steigerung der Kapazität auf dreidimensionale Strukturen, die aber anders als die Trigates von Intel ausgeführt sind. Das Samsung-Verfahren basiert auf neuen Ätzverfahren. Dadurch konnten Speicherbausteine mit herkömmlichem NAND-Flash mit bis zu 24 Lagen konstruiert werden. Dabei werde eine proprietäre Zellenstruktur eingesetzt, die Samsung nicht näher beschreibt.

Samsung ließ bereits durchblicken, dass die Zellen anders als bei den meisten anderen Flash-Speichern beschrieben werden. Verwendet wird hierbei das Verfahren »3D Charge Trap Flash«, das seit 2002 schon in manchen anderen Bausteinen zum Einsatz kommt. Dabei wird die Zelle nicht direkt mit einer Ladung gefüllt, worauf der Controller warten müsste, sondern die Information wird vorher in einer sogenannten Ladungsfalle zwischengespeichert. Dies ist laut Samsung einer der wesentlichsten Gründe für die doppelte Schreibgeschwindigkeit gegenüber NAND-Flash, das mit den weiter verbreiteten Floating-Gates arbeitet.

Samsung arbeitet beim 3D-Zellen-Array mit 24 Lagen

Der Hauptfaktor für die Steigerung der Speicherdichte ist dagegen die Fertigung von mehreren Lagen. Bisher skalierten Flash-Speicher auf der Ebene der Dies vor allem durch Verkleinerungen der Strukturbreite. Mehrere Layer ergaben aber Probleme mit dem Übersprechen der Leitungen zur Ansteuerung. In der 3D-V-NAND-Technologie will Samsung dies nun gelöst haben. In seinem 3D-Zellen-Array arbeitet Samsung nun mit 24 Lagen.

Die Produktion der neuen V-NAND-SSDs hat laut Samsung Anfang des Monats begonnen. Einen Auslieferungstermin nannte das Unternehmen indes nicht. Wir schätzen, dass größere Stückzahlen in ca. zwei Monaten verfügbar sein dürften. Was Preise anbelangt, hielt sich Samsung ebenfalls noch bedeckt.

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