13.10.2014 (eh)
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Samsung: Produktion der NVMe-SSDs mit 3,2 TByte gestartet

  • Inhalt dieses Artikels
  • Neue NVMe-Schnittstelle wird Favorit im SSD-Highend
  • Zuverlässigkeit: 10 DWPDs (Drive Writes Per Day) für fünf Jahre

3,2-TByte-SSD mit der neuen NVMe-PCIe-Schnittstelle (Bild: Samsung)3,2-TByte-SSD mit der neuen NVMe-PCIe-Schnittstelle (Bild: Samsung)Die SSDs mit der neuen NVMe-Schnittstelle mit 3,2 TByte in 3D-V-NAND Flash-Memory-Technologie gehen nun bei Samsung in Produktion. Das Modell mit der Produktbezeichnung SM1715 ist vor allem für Highend-Enterprise-Serversysteme der nächsten Generation gedacht. SM1715 löst das Vorgängermodell XS1715 ab, das auf 1,6 TByte kam.

Eine NVMe-SSD mit 3,2 TByte hat kürzlich auch Samsung-Konkurrent HGST angekündigt. Diese ist allerdings noch nicht lieferbar. Was die echte Produktion anbelangt, hat Samsung also derzeit die Nase vorne. Die Samsung-SSDs kommen in einem HHHL-Karten-Formfaktor (Half-Height, Half-Length).

Neue NVMe-Schnittstelle wird Favorit im SSD-Highend

Die NVMe-Schnittstelle (NVM Express; bzw. das Non-Volatile Memory) ermöglicht unter anderem durch mehr Optionen für parallele Anfragen schnellere Zugriffe auf Flash-Speicher. Die Anbindung via PCI-Express (PCIe) kann Latenzen reduzieren, die üblicherweise beim »Umweg« über SATA- oder SAS-Controller auftreten. NVMe-Massenspeicher gelten als Beschleuniger von Datenbanken bzw. für Software-defined-Storage-Umgebungen (SDS).

»Durch den Beginn der Massenproduktion dieser neuen V-NAND-basierten NVMe-SSDs, welche die größte heute verfügbare Leistungsfähigkeit und Speicherdichte bieten, erwarten wir eine wesentliche Ausdehnung des Marktes für High-Density-SSDs«, sagt Jeeho Baek, Vice President, Memory Marketing bei Samsung Electronics. »Samsung plant in Zukunft weitere, noch leistungsstärkere V-NAND-basierte SSDs mit noch höherer Speicherkapazität und Zuverlässigkeit vorzustellen.«

Zuverlässigkeit: 10 DWPDs (Drive Writes Per Day) für fünf Jahre

Die neue 3,2-TByte-NVMe-SSD bietet eine sequenzielle Lesegeschwindigkeit von bis zu 3.000 MByte/s und eine sequenzielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 2.200 MByte/s. Wahlfreie Lesevorgänge erfolgen laut Samsung mit bis zu 750.000 IOPS (Input Output Operations per Second); wahlfreie Schreibvorgänge mit bis zu 130.000 IOPS.

Darüber hinaus zeichnet sich das SM1715-Modell durch eine Zuverlässigkeit von 10 DWPDs (Drive Writes Per Day) für fünf Jahre aus. Dieses Maß an Zuverlässigkeit verlangen typischerweise die Hersteller von Enterprise-Servern für ihre Highend-SSD-Speicher-Lösungen.

Von SM1715 gibt es auch noch eine Version mit 1,6 TByte. Die Vorgängermodellserie XS1715 ist überdies noch als 2,5-Zoll-Version mit 800 GByte und 1,6 TByte enthält.

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