20.04.2017 (eh) Drucken
(4.2 von 5, 5 Bewertungen)

Forschungszentrum Jülich macht Fortschritte bei ReRAM-Forschung

  • Inhalt dieses Artikels
  • ReRAM-Speicherbauelemente lassen sich bis in den Nanometerbereich verkleinern
  • ReRAM unters Elektronenmikroskop gelegt
  • Ein- und Ausbau von Sauerstoff in der Oxidschicht – nicht unähnlich den Prozessen in einer Brennstoffzelle

Sie erlauben energiesparendes Schalten innerhalb von Nanosekunden, und die gespeicherten Informationen bleiben auf Dauer erhalten: ReRAM-Speicher gelten als Hoffnungsträger für die Datenspeicher der Zukunft. Ein interdisziplinäres Forscherteam aus Jülich, Aachen und Grenoble hat nun mithilfe eines Elektronenmikroskops den Schaltmechanismus entschlüsselt.

Blick ins Photoemissionsmikroskop: Im sogenannten NanoESCA werden resistive Speicherelemente mittels energiegefilteter Photoelektronenemissionsmikroskopie abgebildet. (Bild: Forschungszentrum Jülich/Regine Panknin)Blick ins Photoemissionsmikroskop: Im sogenannten NanoESCA werden resistive Speicherelemente mittels energiegefilteter Photoelektronenemissionsmikroskopie abgebildet. (Bild: Forschungszentrum Jülich/Regine Panknin)Halbleiter-Speichertechnologien gehört die Storage-Zukunft. Flash erobert gerade das Rechenzentrum. Aber mit PCM (Phase Change Memory), RRAM bzw. ReRAM (Resistive Random Access Memory) oder Racetrack stehen noch weitere Nachfolgealternativen in den Startlöchern. PCM ist beispielsweise die Basistechnologie der von Intel und Micron entwickelten Technologie, die unter dem Begriff »3D XPoint« vermarktet wird. Intel beginnt gerade, darauf basierende »Optane«-SSDs und Speicherchips auf den Markt zu bringen.

Aber auch bei ReRAM tut sich was. Wie ReRAM-Zellen genau funktionieren, ist jedoch bisher nicht vollständig verstanden. Insbesondere die Details der ablaufenden chemischen Reaktionen geben den Forschern Rätsel auf. Das macht die Vorhersage von Schalteigenschaften schwierig – die Speichertechnologie wird deshalb weitgehend nach Erfahrungswerten optimiert. Bereits letzten Sommer meldete das Forschungszentrum Jülich weitere Fortschritte Doch ein interdisziplinäres Forscherteam aus Jülich, Aachen und Grenoble ist sich nun sicher, mithilfe eines Elektronenmikroskops den Schaltmechanismus entschlüsselt zu haben.

ReRAM-Speicherbauelemente lassen sich bis in den Nanometerbereich verkleinern

Im Transmissionselektronenmikroskop wird das Bauelement mit einer beweglichen Mikro-Spitze kontaktiert. Wenn positive Spannungen angelegt werden, wird Sauerstoff (blaue Kugeln) ausgebaut, es bleiben Sauerstoffleerstellen (grüne Kugeln) zurück. Bei negativer Spannung wird der Sauerstoff wieder eingebaut. (Bild: Forschungszentrum Jülich)Im Transmissionselektronenmikroskop wird das Bauelement mit einer beweglichen Mikro-Spitze kontaktiert. Wenn positive Spannungen angelegt werden, wird Sauerstoff (blaue Kugeln) ausgebaut, es bleiben Sauerstoffleerstellen (grüne Kugeln) zurück. Bei negativer Spannung wird der Sauerstoff wieder eingebaut. (Bild: Forschungszentrum Jülich)Memristive Speicherbauelemente gelten als Logik- und Speicherbauelemente der Zukunft. Sie sollen äußerst schnell, energiesparend und nichtflüchtig sein, heißt, die gespeicherten Informationen bleiben auch bei Stromausfall erhalten. Sie lassen sich außerdem sehr gut bis in den Nanometerbereich verkleinern. Darüber hinaus sind sie wie geschaffen für die Verschaltung zu sogenannten neuromorphen Systemen, die Daten mit Methoden verarbeiten, die denen des Gehirns nachempfunden sind.

Die Funktionsweise memristiver Zellen beruht auf einem ganz besonderen Effekt: Ihr elektrischer Widerstand ist nicht konstant, sondern lässt sich durch das Anlegen einer äußeren Spannung verändern und wieder zurücksetzen. So stellt beispielsweise ein niedriger Widerstand die logische »1« und ein hoher Widerstand die logische »0« dar. Mehr Symbole braucht es nicht, um alle Informationen in einem binären Code abzuspeichern.

Noch ist die Technologie allerdings nicht ausgereift genug, um die gängigen Speichertypen zu verdrängen. Die chemischen Reaktionen auf der Nanometerskala, die man als den Ursprung des Schaltens vermutet, sind experimentell nur schwer nachweisbar. Ohne genaue Kenntnis über diese Vorgänge sind die Speicher aber nicht optimal einsetzbar.

ReRAM unters Elektronenmikroskop gelegt

Die Forscherinnen und Forscher unter der Leitung von Prof. Rainer Waser haben in den vergangenen Jahren bereits maßgeblich dazu beigetragen, die mikroskopischen Mechanismen des Schaltverhaltens aufzuklären. Im Rahmen des Sonderforschungsbereichs »Nanoswitches« konnten sie nun auf der Nanometerskala die Vorgänge klären, die beim Betrieb der Speicher ablaufen.

»Bisher dachte man, dass während des Schaltens Sauerstoffleerstellen in der Oxidschicht hin- und her wandern«, erklärt Prof. Regina Dittmann vom Jülicher Peter Grünberg Institut. »Doch dieser Mechanismus konnte das Schalten in unseren Zellen nicht erklären. Deshalb haben wir die Bauelemente in einem Transmissionselektronenmikroskop untersucht.« Dort kann man mithilfe sogenannter hochauflösender Elektronenenergieverlustspektroskopie geringe Änderungen der chemischen und elektronischen Struktur mit atomarer Auflösung betrachten.

Ein- und Ausbau von Sauerstoff in der Oxidschicht – nicht unähnlich den Prozessen in einer Brennstoffzelle

»So haben wir entdeckt, dass sich während des Schaltens die gesamte Sauerstoffkonzentration in der sogenannten aktiven Schicht ändert«, erläutert Dittmann. »Durch das Anlegen von elektrischer Spannung wird also eine Elektrokatalyse in Gang gesetzt, die für einen ständigen Ein- und Ausbau von Sauerstoff in der Oxidschicht zwischen den beiden Elektroden sorgt – nicht unähnlich den Prozessen in einer Brennstoffzelle. Zusammen mit der lange vermuteten Umverteilung der Leerstellen verändert sich dadurch der Widerstand des Bauelements.«

Durch die neuen Erkenntnisse über die atomaren Vorgänge in den Speicherzellen, so erhoffen sich die Forscher, lassen sich die Eigenschaften zukünftiger Bauelemente gezielter einstellen. So sollen etwa durch den Ein- und Ausbau von Sauerstoff aus der aktiven Schicht deutlich höhere Unterschiede im elektrischen Widerstand erreicht werden können, was die Integration der Zellen in komplexe Chips erleichtere.

.